解的方式,给他添上n-漂移层和p阱,来起到聚集电子和放大电信号的作用。”
“至于材料,n-漂移层和昨天讲解一样,用的是铝,不过并非是简单的用铝包裹一层。”
“而是需要将铝制备成铝离子,然后注入到上午侵蚀出来的沟槽中,从而形成稳定的n-漂移层。”
“所以我现在需要先将铝离子制备出来。”
一边讲解,韩元一边动手处理材料。
铝离子的制备对已经掌握了初级化工应用知识信息的他来说很简单。
用硫酸盐或者氯盐在强氧化剂的保护下就可以制备出来。
而且制备出来的铝离子含量还相当高,足够他用来制造晶体管中的n-漂移层了。
状态提示: 第一百八十三章:制备碳化硅晶体管
本章阅读结束,请阅读下一章
本章阅读结束,请阅读下一章
TXT下载地址:http://www.00kshu.win/txt/xiazai223810.html
手机阅读:http://m.00kshu.win/223810/
发表书评:http://www.00kshu.win/book/223810.html
为了方便下次阅读,你可以在顶部"加入书签"记录本次(第一百八十三章:制备碳化硅晶体管)的阅读记录,下次打开书架即可看到!请向你的朋友(QQ、博客、微信等方式)推荐本书,三寸寒秋谢谢您的支持!!
手机阅读:http://m.00kshu.win/223810/
发表书评:http://www.00kshu.win/book/223810.html
为了方便下次阅读,你可以在顶部"加入书签"记录本次(第一百八十三章:制备碳化硅晶体管)的阅读记录,下次打开书架即可看到!请向你的朋友(QQ、博客、微信等方式)推荐本书,三寸寒秋谢谢您的支持!!